間距與尺寸為度量，三階段擴(kuò)寬顯示市場
未來的顯示面板需要更高的解析度、曲面化、輕薄化、高動態(tài)HDR的顯示效果，傳統(tǒng)背光走向自發(fā)光方式，LED顯示進(jìn)而成為一大主流攻克方向。同時(shí)由于LED也能搭配柔性基板，實(shí)現(xiàn)與OLED抗衡的曲面顯示，甚至是透明顯示；再加上OLED目前的可靠性與使用壽命暫時(shí)有缺陷，Mini LED與Micro LED應(yīng)運(yùn)而生。 以2015年為起點(diǎn)，我們判斷led顯示屏貢獻(xiàn)度呈階段式爬升，實(shí)現(xiàn)三階段跨越：小間距市場持續(xù)拓寬，Mini LED量產(chǎn)可期，Micro LED終極顯示變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。
小間距為啟發(fā)，LED產(chǎn)業(yè)鏈新動能
技術(shù)進(jìn)步使得小間距LED擴(kuò)寬商顯市場、激發(fā)海外需求、提升單位價(jià)值量。然而技術(shù)的限制也讓其止步于更精細(xì)化的市場，留給Mini LED、Micro LED 技術(shù)更多舞臺，迎接LED產(chǎn)業(yè)下一個(gè)高點(diǎn)。
Micro LED：面向未來，LED顯示的傳承與革命
Micro LED以50微米為晶粒尺寸界限，配備TFT或CMOS驅(qū)動電路，且無需封裝，可實(shí)現(xiàn)晶粒緊密排布，到達(dá)極高的像素密度。由于LED芯片的精密程度幾何增長式提升，共衍生出三大難點(diǎn)，一是巨量轉(zhuǎn)移，二是難以修復(fù)，三是背板方案多變?yōu)?TFT基板和CPU與內(nèi)存所采用的單晶硅基板。因此，Micro LED 既有LED、面板與集成電路各領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗(yàn)做支撐，又需要創(chuàng)新巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，其撬動的巨大顯示蛋糕吸引著產(chǎn)業(yè)鏈共同努力。
Mini LED：亟待成型，產(chǎn)業(yè)鏈的折中之舉
相較于Micro LED，折中方案的Mini LED在顯示領(lǐng)域更容易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并且還可以在背光領(lǐng)域快速突破，給產(chǎn)業(yè)鏈更多的正反饋，因此Mini LED產(chǎn)品于去年 下半年快速突破。但Mini LED與Micro LED的技術(shù)路徑暫時(shí)不統(tǒng)一，廠商在襯底材料、MOCVD設(shè)備、封裝方式、驅(qū)動方式等各個(gè)環(huán)節(jié)均處于探索期。
高密度LED顯示是全產(chǎn)業(yè)鏈的機(jī)遇
Mini LED、Micro LED的發(fā)展同樣是LED產(chǎn)業(yè)鏈供給端格局變化的過程，我們看好Mini LED、Micro LED趨勢下，我國LED產(chǎn)業(yè)鏈在擁有先發(fā)優(yōu)勢，依次建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈上下游有能力儲備新興技術(shù)的優(yōu)質(zhì)企業(yè)。
信息來源 3qled 顯示之家
