隨著市場需求的發(fā)展到越來越高的水平，追求視覺效果的可靠性變得越來越重要。未來，市場對4K、8K led電子屏高清屏幕的需求將爆炸，以較小間距、mini LED、Micro LED表示的新顯示將迎來新的技術拐點，技術革新意味著產(chǎn)業(yè)將有機會重新改變游戲規(guī)則，重新改變顯示器領域的競爭格局。
作為國內(nèi)LED芯片行業(yè)的領導者，部分led電子屏廠家長期部署在Mini/Micro LED領域，并取得了實質性進展。在全球范圍內(nèi)進行了優(yōu)化，并獲得了若干技術突破和發(fā)明專利。
在mini RGB led芯片技術優(yōu)化中，led電子屏廠家設計了高可靠性和亮度的DBR倒裝芯片結構。優(yōu)化PV和Mesa 刻蝕流程，以平滑復蓋金屬連接層。優(yōu)化了電極結構和金屬沉積工藝，設計了高可靠性的電極。此外，特有的抖動技術可以在COB應用情況下消除Mura效果。
與此同時，隨著芯片大小的持續(xù)縮小，非錫軟膏封裝芯片方案將成為提高旋律和降低成本的關鍵，實現(xiàn)了直接在mini led芯片電極上制作石工的技術應用。紅光mini led芯片技術開發(fā)了高鍵結合率傳輸和組合工藝。設計了上層傷害保護層，優(yōu)化了材料沉積工藝，加強了膜，保證了外延頂部損傷的危險。
優(yōu)化背光迷你led芯片技術的膠片結構設計，調節(jié)芯片輸出，使超薄設計更易于實現(xiàn)。
對于微LED芯片，在submicron級的過程線寬控制、芯片側漏電保護、基板剝離技術(批量芯片傳輸)、陣列粘接技術(陣列粘接粘接)、微LED的光學和光調節(jié)方面取得了良好的效果。目前獲得的芯片旋律可以達到5個9個級別，紅光 Micro LED效率也達到了國際領先水平，可以為不同的傳輸方式提供不同形式的Micro LED示例。“小間距顯示技術已經(jīng)成熟，第三代小間距產(chǎn)品即將上市，迷你led翻轉RGB芯片技術已經(jīng)批量生產(chǎn)，迷你led背光芯片技術正在進一步成熟。”金合光電副總裁認為，Micro LED目前正在開發(fā)中，需要上下聯(lián)合開發(fā)。
他表示，Micro led顯示屏將應用于電視、手機、AR/VR、車輛顯示屏、可穿戴電子和數(shù)字顯示屏(商業(yè)廣告和顯示器等)。
